- выборки из регистра-счетчика адреса команды MПП адреса ячейки ОЗУ, где хранится очередная команда программы;
- выборки из ячеек ОЗУ кода очередной команды и приема считанной команды в регистр команд;
- расшифровки кода операции и признаков выбранной команды;
- считывания из соответствующих расшифрованному коду операции ячеек ПЗУ микропрограмм управляющих сигналов (импульсов), определяющих во всех блоках машины процедуры выполнения заданной операции, и пересылки управляющих сигналов в эти блоки;
- считывания из регистра команд и регистров МПП отдельных составляющих адресов операндов (чисел), участвующих в вычислениях, и формирования полных адресов операндов;
- выборки операндов (по сформированным адресам) и выполнения заданной операции обработки этих операндов;
- записи результатов операции в память;
- формирования адреса следующей команды программы.
Рис. 4.6.Функциональная схема АЛУ
Сумматор –
вычислительная схема, выполняющая процедуру сложения поступающих на ее вход двоичных кодов; сумматор имеет разрядность двойного машинного слова.
Регистры -
быстродействующие ячейки памяти различной длины: регистр 1 (Рг1) имеет разрядность двойного слова, а регистр 2 (Рг2) – разрядность слова.
При выполнении операций в Рг1 помещается первое число, участвующее в операции, а по завершении операции – результат; в Рг2 – второе число, участвующее в операции (по завершении операции информация в нем не изменяется). Регистр 1 может и принимать информацию с кодовых шин данных, и выдавать информацию на них, регистр 2 только получает информацию с этих шин.
Схемы управления
принимают по кодовым шинам инструкций управляющие сигналы от устройства управления и преобразуют их в сигналы для управления работой регистров и сумматора АЛУ.
АЛУ выполняет арифметические операции (+, -, *, :) только над двоичной информацией с запятой, фиксированной после последнего разряда, т.е. только над целыми двоичными числами.
Выполнение операций над двоичными числами с плавающей запятой и над двоично-кодированными десятичными числами осуществляется или с привлечением математического сопроцессора, или по специально составленным программам.
Микропроцессорная память
Микропроцессорная память
- память небольшой емкости, но чрезвычайно высокого быстродействия (время обращения к МПП, т.е. время, необходимое на поиск, запись или считывание информации из этой памяти, измеряется наносекундами – тысячными долями микросекунды).
Она предназначена для кратковременного хранения, записи и выдачи информации, непосредственно в ближайшие такты работы машины участвующей в вычислениях; МПП используется для обеспечения высокого быстродействия машины, ибо основная память не всегда обеспечивает скорость записи, поиска и считывания информации, необходимую для эффективной работы быстродействующего микропроцессора.
Микропроцессорная память состоит из быстродействующих регистров
с разрядностью не менее машинного слова. Количество и разрядность регистров в разных микропроцессорах различны: от 14 двухбайтных регистров у МП 8086 до нескольких десятков регистров разной длины у МП Pentium .
Регистры микропроцессора
делятся на регистры общего назначения и специальные.
Специальные регистры
применяются для хранения различных адресов (адреса команды, например), признаков результатов выполнения операций и режимов работы ПК (регистр флагов, например) и др.
Регистры общего назначения
являются универсальными и могут использоваться для хранения любой информации, но некоторые из них тоже должны быть обязательно задействованы при выполнении ряда процедур.
Интерфейсная часть микропроцессора
Интерфейсная часть МП предназначена для связи и согласования МП с системной шиной ПК, а также для приема, предварительного анализа команд выполняемой программы и формирования полных адресов операндов и команд.
Интерфейсная часть включает в свой состав адресные регистры МПП, узел формирования адреса, блок регистров команд, являющийся буфером команд в МП, внутреннюю интерфейсную шину МП и схемы управления шиной и портами ввода-вывода.
Порты ввода-вывода
– это пункты системного интерфейса ПК, через которые МП обменивается информацией с другими устройствами. Всего портов у МП может быть 65536. Каждый порт имеет адрес – номер порта, соответствующий адресу ячейки памяти, являющейся частью устройства ввода-вывода, использующего этот порт, а не частью основной памяти компьютера.
Порт устройства содержит аппаратуру сопряжения и два регистра памяти – для обмена данными и обмена управляющей информацией. Некоторые внешние устройства используют и основную память для хранения больших объемов информации, подлежащей обмену. Многие стандартные устройства (НЖМД, НГМД, клавиатура, принтер, сопроцессор и др.) имеют постоянно закрепленные за ними порты ввода-вывода.
Схема управления шиной и портами
выполняет следующие функции:
- формирование адреса порта и управляющей информации для него (переключение порта на прием или передачу и др.);
- прием управляющей информации от порта, информации о готовности порта и его состоянии;
- организацию сквозного канала в системном интерфейсе для передачи данных между портом устройства ввода-вывода и МП.
Основные классификационные параметры ЗУ
| Параметр | Обозначение | Определение |
| Информационная емкость | N | Число бит памяти в накопителе ЗУ |
| Число слов и ЗУ | п | Число адресов слов в накопителе ЗУ |
| Разрядность | т | Число разрядов в накопителе ЗУ |
| Коэффициент разветвления по выходу | K p | Число единичных нагрузок (входов других ИМС), которые можно одновременно подключить к выходу ЗУ |
| Число циклов перепрограммирования | Ncy | Число циклов запись-стирание, при котором сохраняется работоспособность ЗУ |
| Потребляемая мощность | р CC | Потребляемая ЗУ мощность в установленном режиме работы |
| Потребляемая мощность в режиме хранения | p CCS | Мощность, потребляемая ЗУ при хранении информации в режиме невыбора |
| Время хранения информации | t SG | Интервал времени, в течение которого ЗУ в заданном режиме сохраняет информацию |
Статические параметры 3У
Важное преимущество ПЗУ по сравнению с ОЗУ - сохранение информации при выключении питания. Стоимость бита хранимой в ПЗУ информации может быть почти на порядок ниже, чем в ОЗУ. Постоянные ЗУ могут быть реализованы на основе различных физических принципов.
В настоящее время применяются следующие виды ПЗУ:
МАСОЧНЫЕ ПЗУ программируются их изготовителем, который по подготовленной пользователем информации делает фото-шаблоны, с помощью которых заносит эту информацию в процессе производства на кристалл ПЗУ. Этот способ самый дешевый и предназначен для крупносерийного производства ПЗУ.
Масочные ПЗУ строятся на основе диодов, биполярных и МДП-транзисторов. В диодных ПЗУ диоды включены в тех пересечениях матрицы, которые соответствуют записи «1», и отсутствуют в местах, где должен быть записан «0». Внешние цепи управления диодных ПЗУ очень просты. Так как диодная матрица представляет собой элемент с гальваническими связями, то выходные сигналы имеют ту же форму, что и входные. Постоянные ЗУ на МДП-транзисторах несколько проще в изготовлении, чем биполярные.
Масочные ПЗУ характеризуются большой надежностью, но невозможно изменить информацию в ПЗУ без изготовления новой ИС, что особенно неудобно на этапе отработки программ системы.
ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ ПЗУ являются более универсальными и, следовательно, более дорогими приборами. Они представляют собой матрицы биполярных приборов с плавкими перемычками (их упрощенная схема приведена на рис. 17.7), связи которых с адресными и разрядными шинами разрушаются при занесении кода на специальных ПРОГРАММАТОРАХ . Эти устройства вырабатывают напряжения, необходимые и достаточные для пережигания плавких перемычек в выбранных запоминающих элементах ПЗУ
На рис. . плавкие перемычки ПП показаны в виде предохранителей, включенных в эмиттеры многоэмиттерных транзисторов VТo...VТп. Программируемые элементы включены между эмиттерами транзисторов матриц и разрядными шинами. Наличие перемычки соответствует логическому 0 на выходе усилителя считывания, а отсутствие перемычки - логической единице. Процесс записи информации в схему представляет собой избирательное разрушение плавких перемычек током, обеспечиваемым устройством программирования
ОДНОКРАТНО ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПЗУ (ППЗУ) накопитель выполняют на базе ячеек. Постоянные ЗУ данного типа допускают только однократную запись информации в ячейку. При программировании"эти плавкие перемычки из нихрома или другого тугоплавкого материала пережигают с помощью специального программирующего устройства.. Пережигание перемычек в режиме программирования выполняется серией импульсов по специальной программе.
Для повышения надежности работы ПЗУ методика программирования предусматривает подачу серии 40,.. 100 импульсов после фиксации момента пережигания перемычки, а также обязательную термотренировку запрограммированного ПЗУ при температуре (около 100°С).
Более надежными являются микросхемы с перемычками из поликристаллического кремния, в которых процесс необратимого перехода поликремния из проводящего состояния в непроводящее происходит под действием нагрева, вызванного протеканием тока.
Схемы поддержки режима программирования обычно располагаются на самом кристалле микросхемы, и процесс программирования.протекает следующим образом.
1) На адресные входы подается адрес выбранной ячейки.
2) Напряжение питания микросхемы +U повышается до напряжения программирования +10 V необходимого для создания тока, I ³ 400 mA достаточного для плавления перемычки.
3) На вход программирования V через резистор подется напряжение +15 V с током не более 100 mA
ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПЗУ (РПЗУ) Наибольшее распространение среди них получили ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и с электрическим стиранием и записью информации.
Микросхемы, в которых информация стирается с помощью ультрафиолетового излучения (УФППЗУ), имеют: возможность многократного программирования, достаточно малое время выборки и энергопотребление, большую емкость.
Запоминающим элементом в ПЗУ с УФ-стиранием является МОП-транзистор. Информация о содержимом данной ячейки хранится в виде заряда на втором затворе МОП-транзистора. При необходимости в перепрограммировании микросхемы предварительно записанную информацию стирают ультрафиолетовым светом c l £ 400 мкм (источником может являться лампа ДРТ220 или ДРТ375) через прозрачное кварцевое окошко на поверхности корпуса микросхемы. УФ-излучение разряжает плавающий затвор МОП-транзистора. Время сохранения информации в микросхемах ПЗУ данного типа определяется качеством призатворного диэлектрика и для современных микросхем составляет десять лет и более.
Микросхемы ПЗУ с электрическим стиранием информации популярны у разработчиков микропроцессорной техники благодаря возможности быстрого стирания и записи, большим допустимым числом циклов перезаписи информации.(10000 раз и более). Однако они достаточно дорогие и сложные по сравнению с микросхемами ПЗУ с УФ-стиранием и поэтому уступают последним по степени использования в микропроцессорной аппаратуре.
Основу запоминающей ячейки в ПЗУ с электрическим стиранием составляет МОП-транзистор с плавающим затвором, такой же, как и в ПЗУ с УФ-стиранием. Но в микросхемах данного типа технологическими методами обеспечена возможность обратного туннелирования, т.е. отбора электронов с плавающего затвора, что позволяет выборочно стирать занесенную информацию.
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО, электрический аналог ферромагнетизма. Подобно тому как в ферромагнитных веществах при помещении их в магнитное поле проявляется остаточная магнитная поляризация (момент), в сегнетоэлектрических диэлектриках, помещенных в электрическое поле, возникает остаточная электрическая поляризация.
Микроскопической причиной сегнетоэлектричества является наличие внутри вещества атомных (или молекулярных) диполей. Эти диполи ориентируются внешним электрическим полем и остаются ориентированными после снятия поля; переключение направления поля на противоположное приводит к обратной ориентации диполей. Принципиальное отличие сегнетоэлектричества от ферромагнетизма состоит в том, что свободные электрические заряды могут экранировать электрические поля, создаваемые электрическими диполями, а это затрудняет прямое наблюдение статической поляризации. Поляризацию обычно измеряют по так называемой петле гистерезиса. Образец помещают между пластинами конденсатора, на которые подается переменное напряжение E. На экране осциллографа регистрируется кривая зависимости заряда, возникающего на пластинах, а тем самым и электрической поляризации (поскольку заряд, отнесенный к единице площади поверхности пластин, является мерой вектора электрической поляризации P), от напряжения (поля) E. Петля гистерезиса, представленная на рис. 1, характеризуется двумя величинами: остаточной поляризацией P (любого знака), имеющейся даже при нулевом поле E, и коэрцитивным полем Ec, при котором вектор поляризации изменяет направление на обратное. Площадь петли гистерезиса равна работе электрических сил, затрачиваемой в пределах одного цикла перехода сегнетоэлектрика между двумя эквивалентными состояниями поляризации противоположного знака.
На данный момент имеется огромное количество всевозможнейших комбинаций основных элементов, из которых строится ячейка памяти – ферромагнитного сегнетоэлектрического транзистора и такого же конденсатора. Но при рассмотрении этих комбинаций можно выявить 4 основных типа, которые являются базовыми, все остальные типы ячеек FeRAM являются лишь их комбинациями. Это однотранзисторная ячейка 1Т FeRAM, одноконденсаторная ячейка 1С FeRAM, называемая еще SFRAM (statically read, non-volatile, ferroelectric random access memory - полный аналог SRAM), наиболее распространенная транзисторно-конденсаторная ячейка 1Т-1С FeRAM и наиболее стабильная из всех вышеперечисленных двойная ячейка 2T-2C FeRAM. А теперь подробнее.
Помимо этих основных структур существует огромное количество их комбинаций. Практически любой мало-мальски уважающий себя университет занимается сейчас перебором вариантов компоновки ячеек и изучением свойств этих гибридов. Защищаются дипломы на данную тему, получаются все новые и новые патенты. Рассмотреть хотя бы наиболее перспективные комбинации в рамках одной статьи - дело нереальное. Тут материала как минимум еще на одну статью, ну а пока стоит перейти к дальнейшим перспективам FeRAM.
Эта структура ячейки использовалась в одной из первых работающих моделей FeRAM, но показатели ее были не на высоте - ячейка слишком быстро теряла заряд и переходила в непредсказуемое состояние, то есть не являлась энергонезависимой, поэтому работы в области 1T были свернуты. Но сама идея оказалась живуча - ведь имея в качестве ячейки всего один транзистор можно добиться минимального ее размера и, соответственно, гигантской информационной емкости приходящейся на единицу поверхности чипа. Именно поэтому в 2002 году работы над созданием 1Т FeRAM были продолжены двумя крупнейшими японскими институтами - NERI (Nanoelectronics Research Institute) и AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology). Используя ферромагнитные сегнетоэлектрики новейшего поколения - композиционный оксид SBT (SrBi2Ta2O9) с добавлением гафния Hf и несколько модифицировав структуру полевого сегнетоэлектрического транзистора (ferroelectric gate field-effect transistor) им удалось получить 1Т структуру со значительно более долгим временем хранения заряда, на порядок больше предыдущих разработок.
Сама схема 1Т FeRAM выглядит следующим образом:
Слева приведена схема традиционной 1T-1C ячейки, справа только 1Т. Даже из принципиальной схемы явствует, что ячейка 1Т меньше и проще в исполнении по сравнению с 1T-1C, что должно положительно сказаться на себестоимости и на информационной емкости памяти на ее основе.
Сам транзистор выглядит так:
Запись в ячейку 1T FeRAM осуществляется при подаче положительного или отрицательного заряда на электроды схемы. Когда на электрод стока (drain electrode) подается напряжение +6V в канале проводника возникает пульсирующий адекватный ток соответствующий значению "1". И наоборот - после подачи отрицательного напряжения - пульсирующий ток крайне незначителен - ячейка переходит в положение "0".
На графике это выглядит следующим образом:
Как следует из этого графика разница между состоянием "0" и состоянием "1" достаточна для однозначного определения значения ячейки, а падение тока утечки незначительно - за 106 секунд (что соответствует 11,6 суткам) падение не превысило 2%.
Подводя итог, можно сказать, что данная технология вполне жизнеспособна - чрезвычайно малый размер ячеек, стабильность заряда и высокая скорость доступа к ячейкам (что может быть проще транзистора?) - вот ключевые позиции 1T FeRAM. Основной проблемой является надежность хранения заряда - память на базе 1T FeRAM теряет данные по прошествии 50-60 дней. Впрочем, для рынка мобильных компьютеров это не актуально - вряд ли у кого из владельцев КПК его любимая игрушка будет выключена более двух месяцев, а при включении заряд на транзисторах обновляется. Следовательно, создателям 1T осталось повысить надежность и, главное, реализовать все это на практике - а это похоже будет главной проблемой, ни один из крупных производителей FeRAM пока не заинтересовался этой новой реинкарнацией старой идеи, предпочитая заниматься более традиционными 1T-1C и 2Т-2C. На текущий момент не было ни одной новости о лицензировании технологии 1Т каким-нибудь крупным производителем. По-видимому, стереотипы живучи - один раз забраковав 1Т структуру, гиганты компьютерной индустрии накрепко про нее забыли. Хочется верить, что этой, как ее назвали разработчики, ultra-Gbit FeRAM, повезет с издателями, и увидим мы на прилавках дешевые емкие энергонезависимые носители информации.
Энергонезависимое сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) емкостью 16 кбит с последовательным интерфейсом и питанием 3В
Отличительные особенности:
Сегнетоэлектрическое энергонезависимое ОЗУ емкостью 16 кбит
- Организация ячеек памяти 2048 x 8
- Неограниченное количество циклов чтение/запись
- 10 летний срок хранения информации
- Запись без задержки (NoDelay™)
- Продвинутая высоконадежная сегнетоэлектрическая технология
Быстродействующий двухпроводной последовательный интерфейс
- Максимальная тактовая частота последовательной шины до 1 МГц
- Непосредственная аппаратная замена ЭППЗУ
Малая потребляемая мощность
- Работа при питании 2.7-3.6В (новая особенность)
- Активный ток - 75 мкА (100 кГц, 3В)
- Ток покоя - 1 мкА
Соответствие промышленным стандартам
- Рабочая температура: -40° C … +85° C
- 8-выв. корпус SOIC
- Доступность экологически чистого 8-выв. корпуса SOIC (новая особенность)
Структурная схема FM24CL16:
Расположение выводов FM24CL16:
Общее описание:
FM24CL16 – энергонезависимая память емкостью 16 кбит, выполненная по сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или FRAM является энергонезависимым и выполняет операции чтения и записи подобно ОЗУ. Оно обеспечивает надежное хранение информации в течение 10 лет, при устранении проблем связанных со сложностью, ограниченным быстродействием записи и уровнем системной надежности ЭППЗУ и другой энергонезависимой памяти.
В отличие от ЭППЗУ FM24CL16 выполняет операцию записи на скорости шины. При этом не возникает никаких задержек при записи.
Следующий цикл шины может быть начат немедленно без необходимости опроса данных. Кроме того, устройство обладает неограниченным количеством циклов записи, что на много порядков больше, чем у ЭППЗУ. Также FRAM потребляет гораздо меньший ток при записи, чем ЭППЗУ, которому требуется дополнительный внутренний источник питания схемы программирования.
Данные возможности делают FM24CL16 идеальным для приложений с энергонезависимым хранением информации, где требуется частая и быстрая запись данных. Примеры таких приложений простираются от накопителей данных, где время записи может быть критичным параметром, до промышленного управления, где задержки при записи в ЭППЗУ могут привести к потери информации. В совокупности данные преимущества позволяют записывать данные с большей частотой, не вызывая при этом неудобства в программировании.
FM24CL16 выпускается в стандартном промышленном 8-выв. корпусе SOIC и использует двухпроводной протокол связи. Выполнение технических характеристик гарантируется во всем промышленном температурном диапазоне -40°C … +85°C. FM24CL16 требует для питания 3В и обеспечивает быстродействие шины до 1 МГц, при этом функционально совместим с 5В версией FM24C16.
Описание выводов:
Информация для заказа:
Тонкие пленки из цирконата-титаната свинца и лантана (PLZT) активно изучаются с целью создания энергозависимых микроэлектронных ЗУ с применением кремниевой технологии. (Бистабильная поляризация – идеальная основа для двоичных ячеек памяти.)
В результате перехода технологий производства полупроводниковых изделий на процесс менее 1 мкм возникла необходимость соответствующего уменьшения напряжения питания. В настоящее время на рынке усиливается тенденция перехода от 5-вольтовых систем к 3-вольтовым. Однако, не вся компонентная база удовлетворяет данной тенденции и проектировщики систем сталкиваются со сложностью применения компонентов при использовании одного источника питания. Эта проблема даже больше касается компаний занимающихся техническим обслуживанием систем, которые экономят средства за счет перепроектирования морально устаревших 5-вольтовых частей.
Корпорация Atmel учитывала это при проектировании новой серии AT45DBXXXX семейства DataFlash с питанием только 3В. Однако, семейство 3-вольтовых DataFlash могут использоваться и в 5-вольтовых системах. Данное практическое руководство имеет целью привести рекомендации по использованию 3-вольтовых DataFlash в 5-вольтовых системах или в системах со смешанным питанием.
ШЕСТНАДЦАТЕРИЧНЫЕ ЧИСЛА
Ячейка памяти типичной микро-ЭВМ может содержать двоичное число 1001 1110. Такая длинная цепь нулей и единиц сложна для запоминания и неудобна для ввода с клавиатуры. Число 1001 1110 могло бы быть преобразовано в десятичное, что дало бы 158 10 , но процесс преобразований занял бы много времени. Большая часть систем микроинформатики использует шестнадцатеричную форму записи, чтобы упростить запоминание и использование таких двоичных чисел, как 1001 1110.
Шестнадцатеричная система счисления (hexadecimal) или система с основанием 16, использует 16 символов от О до 9 и А, В, С, D, Е, F. В табл. 2.5 приведены эквиваленты десятичных, двоичных и шестнадцатеричных чисел.
Заметим из табл. 1, что каждый шестнадцатеричный символ может быть представлен единственным сочетанием четырех бит. Таким образом, представлением двоичного числа 1001 1110 в шестнадцатеричном коде является число 9Е. Это значит, что часть 1001 двоичного числа равна 9, а часть 1110 равна Е (конечно, в шестнадцатеричном коде). Следовательно, 1001 1110 2 = 9E 16 . (Не следует забывать, что индексы означают основание системы счисления.)
Как преобразовать двоичное число 111010 в шестнадцатеричное? Надо начать с МБ и разделить двоичное число на группы из 4 бит. Затем надо заменить каждую группу из 4 бит эквивалентной шестнадцатеричной цифрой: 1010 2 =А, 0011 2 =3, следовательно, 111010 2 =3A 16.
Как преобразовать шестнадцатеричное число 7F в двоичное? В этом случае каждая шестнадцатеричная цифра должна быть заменена своим двоичным эквивалентом из 4 бит. В примере двоичное число 0111 заменено
Таблица 1. Десятичные, шестнадцатеричные и двоичные эквиваленты
| Десятичные | Шестнадцатеричные | Двоичные | |||
| A | |||||
| В | |||||
| С | |||||
| D | |||||
| E | |||||
| F |
шестнадцатеричной цифрой 7, а 1111 2 заменяет F 16 , откуда 7F 16 = 11110111 2 .
Шестнадцатеричная запись широко используется для представления двоичных чисел.
Таблица 2. Преобразование шестнадцатеричного числа в десятичное
| Степень шестнадцати | 16 3 | 16 2 | 16 1 | 16 0 |
| Значение позиции | ||||
| Шестнадцатеричное | С | E | ||
| Десятичное | 4096 х 2 = | 256 х 12 = | 16 х 6 = | 1 х 14 = |
| 8192+ | 3072+ | 96+ | 14 = 11374 |
Преобразуем шестнадцатеричное число 2C6E в десятичное. Процедура действий соответствует табл. 2. Значениями позиций первых четырех шестнадцатеричных цифр являются соответственно слева направо 4096, 256, 16 и 1. Десятичное число содержит 14 (E 16) единиц, 6 чисел 16, 12 (С 16) чисел 256 и 2 числа 4096. Каждая цифра умножается на соответствующий ей вес, получается сумма, которая и дает нам десятичное число 11374.
Преобразуем десятичное число 15797 в шестнадцатеричное. На рис. 5 показана процедура действий. В первой строке 1579710 разделено на 16, что
15797 10:16 = 987 остаток5 10 = 5 16 МР
978 10: 16 = 61 остаток11 10 = B 16
61 10:16 = 3 остаток13 10 = D 16
3 10: 16 = 0 остаток3 10 =3 16 СР
15797 10 = 3 D B 5
Рис. 5. Десятично-шестнадцатеричное преобразование
дает частное 987 10 и остаток 5 10 , который преобразуется затем в свой шестнадцатеричный эквивалент (5 10 = 5 16) и становится цифрой младшего разряда (МР) шестнадцатеричного числа. Первое частное (987) становится делимым во второй строке и снова делится на 16, что дает частное 61 и остаток 11 10 или шестнадцатеричное В. В третьей строке 61 делится на 16, дает частное 3 и остаток 13 10 или D 16 , а в четвертой строке делимое 3 делится на 16, дает частное 0 и остаток З 10 или 3 16 . Когда частное равно 0, как в четвертой строке, преобразование заканчивается. 3 16 становится цифрой старшего разряда (СР) результата, т.е. 3DB5 16 .
Все постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) можно разделить на следующие группы:
● программируемые при изготовлении (обозначают как ПЗУ или ROM);
● с однократным программированием, позволяющим пользователю однократно изменить состояние матрицы памяти электрическим путем по заданной программе (обозначают как ППЗУ или PROM);
● перепрограммируемые (репрограммируемые), с возможностью многократного электрического перепрограммирования, с электрическим или ультрафиолетовым стиранием информации (обозначают как РПЗУ или RPROM).
Для обеспечения возможности объединения по выходу при наращивании памяти все ПЗУ имеют выходы с тремя состояниями или открытые коллекторные выходы.
{xtypo_quote}В ППЗУ накопитель построен на запоминающих ячейках с плавкими перемычками, изготовленными из нихрома или других тугоплавких материалов. Процесс записи состоит в избирательном пережигании плавких перемычек. {/xtypo_quote}
В РПЗУ запоминающие ячейки строятся на основе МОП-технологий. Используются различные физические явления хранения заряда на границе между двумя различными диэлектрическими средами или проводящей и диэлектрической средой.
В первом случае диэлектрик под затвором МОП-транзистора делают из двух слоев: нитрида кремния и двуокиси кремния (SiN 4 — SiO 2). Было обнаружено, что в сложной структуре SiN 4 — SiO 2 при изменении электрического напряжения возникает гистерезис заряда на границе раздела двух слоев, что и позволяет создавать запоминающие ячейки.
Во втором случае основой запоминающей ячейки является лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором (ЛИПЗ МОП). Упрощенная структура такого транзистора приведена на рис. 3.77.
В лавинно-инжекционном транзисторе с плавающим затвором при достаточно большом напряжении на стоке происходит обратимый лавинный пробой диэлектрика, и в область плавающего затвора инжектируются носители заряда. Поскольку плавающий затвор окружен диэлектриком, то ток утечки мал и хранение информации обеспечивается в течение длительного промежутка времени (десятки лет). При подаче напряжения на основной затвор происходит рассасывание заряда за счет туннельного эффекта, т.е. стирание информации.
Приведем некоторые характеристики ПЗУ (табл. 3.1). 
Промышленность выпускает большое количество микросхем ПЗУ. Приведем в качестве примера две микросхемы ПЗУ (рис. 3.78).
На схемах использованы следующие обозначения: A i — адресные входы; D i — информационные выходы; CS — выбор микросхемы; СЕ — разрешение выхода.
Микросхема К573РФ5 — это репрограммируемое ПЗУ (РПЗУ) с ультрафиолетовым стиранием, имеющее структуру 2Кх8. По входу и выходу эта микросхема совместима с ТТЛ-структурами. Микросхема К556РТ5 — это однократно программируемая ПЗУ, выполнена на основе ТТЛШ-структур, по входу и выходу совместима с ТТЛ-структурами, имеющая структуру 512бит х8.
ПЗУ. Принципы построения и
Микросхемы ПЗУ (Постоянное Запоминающее Устройство, ROM - Read-Only Memory
Память, доступная только для чтения) представляют собой однократно программируемое устройство памяти, предназначенное для чтения информации (энергонезависимое).
Различают несколько типов ПЗУ:
ROM (Read-Only Memory, Постоянное Запоминающее Устройство, ПЗУ). Строятся на мультиплексорах или по масочной структуре (см. ниже). Программируются на заводе при производстве. Репрограммирование невозможно.
PROM (Programmable ROM, Программируемое ПЗУ, ППЗУ). В качестве элементов программирования используются специальные перемычки. Программирование заключается в разрушении или образовании перемычки. Также является однократным действием, однако, в отличие от ROM, его можно осуществить даже в домашних условиях.
EPROM (Erasable PROM, Стираемое ППЗУ, СППЗУ). Исторически явилось первым репрограммируемым ПЗУ. Технология основана на применении транзисторов с плавающим затвором. ПЗУ на основе EPROM требуют стирания старой конфигурации под воздействием
ультрафиолетового (УФ) излучения с извлечением ИМС из устройств и имеют ограничение числа циклов программировании из-за деградации свойств материалов под воздействием УФ излучения.
EEPROM (Electrically Erasable PROM, Электрически Стираемое ППЗУ, ЭС-ППЗУ). ППЗУ, очищаемое электрическими сигналами. Для обновления не требует извлечения микросхемы из устройства и допускает достаточно большое число циклов стирания.
FLASH (флэш-память). Технологически аналогична EEPROM, однако в ней используется блочный доступ к сохраняемым данным.
ROM.
Очень часто в различных применениях требуется хранение информации, которая не изменяется в процессе эксплуатации устройства. Это такая информация, как программы в микроконтроллерах, начальные загрузчики и BIOS в компьютерах, таблицы коэффициентов цифровых фильтров в сигнальных процессорах. Практически всегда эта информация не требуется одновременно, поэтому простейшие устройства для запоминания постоянной информации можно построить на мультиплексорах (рис. 1).
В этой схеме построено постоянное запоминающее устройство на восемь одноразрядных ячеек. Запоминание конкретного бита в одноразрядную ячейку производится запайкой провода к источнику питания (запись единицы) или запайкой провода к корпусу (запись нуля).
Чтобы увеличить разрядность ячейки памяти ПЗУ, эти микросхемы можно соединять параллельно (выходы и записанная информация, естественно, остаются независимыми). Схема параллельного соединения одноразрядных ПЗУ приведена на рис. 2.
В реальных ПЗУ запись информации производится при помощи последней операции производства микросхемы - металлизации. Металлизация выполняется при помощи маски, поэтому такие ПЗУ получили название масочных ПЗУ. Еще одно отличие реальных микросхем от упрощенной модели, приведенной выше, - это использование кроме мультиплексора еще и демультиплексора. Такое решение позволяет превратить одномерную запоминающую структуру в многомерную и тем самым существенно сократить объем схемы дешифратора, необходимого для работы схемы ПЗУ. Программирование ПЗУ производится на заводе – изготовителе.
PROM.
Также разработаны программируемые ПЗУ. В этих микросхемах постоянное соединение проводников в запоминающей матрице заменяется плавкими перемычками, изготовленными из поликристаллического кремния. При производстве микросхемы изготавливаются все перемычки, что эквивалентно записи во все ячейки памяти логических единиц. В процессе программирования на выводы питания и выходы микросхемы подается повышенное питание. При этом если на выход микросхемы подается напряжение питания (логическая единица), то через перемычку ток протекать не будет и перемычка останется неповрежденной. Если же на выход микросхемы подать низкий уровень напряжения (присоединить к корпусу), то через перемычку будет протекать ток, который испарит эту перемычку, и при последующем считывании информации из этой ячейки будет считываться логический ноль. Программирование производится при помощи специального программатора.
Возможно также применение другой технологии создания PROM, когда перемычка образована трехслойным диэлектриком с чередованием слоев «оксид-нитрид-оксид». Программирующий импульс напряжения пробивает перемычку и создает проводящий канал между электродами. Величина тока, создаваемого импульсами программирования, влияет на диаметр проводящего канала, что позволяет управлять параметрами проводящей перемычки.
21 вопрос (Перепрограммируемые ПЗУ)
В перепрограммируемых ПЗУ, т.е. с изменяемым содержимым, на затворах матриц МОП-транзисторов длительное время могут храниться разряды, образующих заданный код. Все перепрограммируемые ПЗУ представляют собой МОП-приборы.
ПЗУ, программируемые маской. Самым простым видом ПЗУ является диодное ПЗУ (рис.3.41).
Рисунок 3.41 - Схема диодного ПЗУ
Выбор нужного слова производится подачей сигнала низкого уровня на соответствующую адресную шину А i . При этом диоды, соединяющие разрядные линии и выбранную адресную линию, имеют малое сопротивление, что обуславливает низкий уровень напряжения на соответствующих разрядных линиях. Если же диода в точке пересечения нет, то ток через резистор R не протекает и на выходе соответствующей разрядной линии Ш j устанавливается единичный сигнал. В ПЗУ (рис.3.41) записано восемь 3-разрядных кодов, соответствующих восьми двоичным числам от 000 до 111.
Кроме этого, матрица ПЗУ может быть построена и на МОП-транзисторах. С помощью маски для металлизации подключаются необходимые элементы.
В ПЗУ, программируемых пользователем, в отличие от ПЗУ, программируемых маской, информация может быть занесена пользователем с помощью специального пульта программирования. Применение ПЗУ такого типа целесообразно при небольшом числе БИС ПЗУ.
ПЗУ строятся на основе биполярных диодных матриц (рис.3.42) или матриц биполярных транзисторов аналогично матрице МОП-транзисторов в ПЗУ, программируемых маской. Работа ПЗУ обоих типов базируется на осаждении плавких вставок (ПВ) последовательно с переходами база-эмиттер биполярных транзисторов или p-n переходами диодов. ПВ представляет собой небольшой участок металлизации, который разрушается (расплавляется) при подаче импульса тока (обычно величиной 50-100 мкА и длительностью 2 мс). Как и в ПЗУ, программируемой маской, ошибки, допущенные при программировании ПЗУ рассматриваемого типа, исправить нельзя.
Рисунок 3.42 - Биполярная диодная матрица
Перепрограммируемые ПЗУ (ППЗУ) относятся к числу полупостоянных ЗУ, так как после стирания хранимой в ПЗУ информации возможно занесение в тот же накопитель новых данных. Существует два типа ППЗУ: на основе МОП-матриц и на основе ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым (УФ) облучением кристалла.
22 вопрос (Назначение и типы Flash-памяти)
На сегодня производители выпускают накопители на флэш-памяти нескольких типов: это карты Compact Flash, SmartMedia, MultiMedia Card, SecureDigital Card, Memory Stick и
ATA Flash. Первыми накопителями на флэш-памяти, появившимися рынке, были карты ATA Flash. Эти накопители изготавливаются в виде стандартных карт PC Card. Помимо микросхем флэш-памяти в них устанавливается АТА-контроллер, и при работе они эмулируют обычный IDE-диск. Интерфейс этих карт параллельный. Карты ATA Flash не получили широкого распространения и в настоящее время используются крайне редко.
Compact Flash. Карты Compact Flash (CF) были предложены компанией SanDisk в качестве более компактной и удобной в работе альтернативы картам ATA Flash. Поэтому разработчики стандарта CF предусмотрели возможность работы этих карт как устройств PC Card или как IDE-устройств. В первом случае карты работают как обычные PC Card устройства и их интерфейс «превращается» в шину PC Card. Во втором - как жесткие IDE-диски и их интерфейс работает как АТА-шина.
Карты CF впервые появились в 1994 г. Все карты этого типа имеют 50-контактный параллельный интерфейс. Кстати, существуют карты CF двух типов - Туре I и Туре II. Карты типа Туре II на два миллиметра толще и появились только потому, что раньше корпуса карт Туре I не позволяли разместить внутри флэш-память большого объема для изготовления вместительных носителей CF. В настоящее время такой необходимости нет и карты Туре II постепенно уходят с рынка. Отметим, что в накопители для карт Туре II можно устанавливать карты Туре I, тогда как обратное невозможно.
Среди флэш-карт бесспорным лидером по производительности была CF-карта Transcend Ultra Performance 25x CompactFlash 256 Мбайт, которую можно по праву считать эталоном скорострельности современных флэш-накопителей. Скорость последовательной/случайной записи у этой флэш-карты достигает 3.6/0.8 Мбайт/с, скорость чтения - 4,0/3,7 Мбайт/с.
Скорость работы CF-карт замедляется с увеличением объема, что хорошо видно на примере флэш-карт SanDisk CompactFlash 256 Мбайт и SanDisk CompactFlash 512 Мбайт. Двукратный рост емкости приводит к снижению производительности на 30%. за исключением скорости случайной записи, которая выросла в 2.5 раза, - это выглядит довольно странно и неожиданно.
Скоростные характеристики CF-карт так же сильно зависят от производителя. У Kingston CompactFlash 256 Мбайт - низкая скорость записи (последовательная/случайная запись - 1.4/0.3 Мбайт/с), но по скорости чтения она была лидером (4.4/3,8 Мбайт/с). Карта PQI Hi-Speed Compact Flash 256 Мбайт продемонстрировала среднюю производительность в обоих случаях: запись - 2.1/0.7 Мбайт/с, чтение - 3.8/3,3 Мбайт/с. Карты SanDisk CompactFlash 256 Мбайт и SanDisk CompactFlash 512 Мбайт работали очень медленно: запись - 1,1/0,2 и 0,9/0,5 Мбайт/с, чтение - 2,3/2,1 и 1,8/1,7 Мбайт/с. А карта Transcend Ultra Performance 25х CompactFlash 256 Мбайт записывала и считывала данные одинаково хорошо.
Если сравнивать CF-карты с накопителями других типов, то окажется, что флэш-память - совсем на такая медленная, как это принято считать! По производительности самые быстрые образцы флэш-памяти (в качестве эталона возьмем карту Transcend Ultra Performance 25х CompactFlash 256 Мбайт) сравнимы с Iomega Zip 750 Мбайт, а по скорости последовательной записи даже обгоняют этот накопитель более чем в 1,5 раза! По скорости последовательной записи флэш-память обгоняет диски CD-RW в 2 раза, по скорости последовательного чтения - на 10%! Флэш-память выигрывает у МО-дисков по скорости последовательной записи - в 2 раза - и случайного чтения - на 10%, однако отстает по скорости последовательного чтения и случайной записи - на 20%. Флэш-память отстает по скорости последовательной записи от DVD-дисков (при «прожигании» в режиме 4х) - в 1,4 раза.
Отметим, что если CF-карта используется в цифровой фотокамере, то для нее в первую очередь важна скорость последовательной записи - чем она выше, тем быстрее фотокамера вернется в рабочее состояние после «захвата» кадра и «сброса» его на флэш-карту. Впрочем, скорость чтения CF-карты в этом случае тоже важна, правда, не так критична - чем быстрее считываются данные, тем быстрее будет работать фотокамера в режиме просмотра отснятого материала.
SmartMedia. Конструкция карт SmartMedia (SM) чрезвычайно проста. В карте SM нет встроенного контроллера интерфейса и по сути - это одна или две микросхемы флэш-памяти, «упакованные» в пластиковый кожух. Стандарт SM был разработан компаниями Toshiba и Samsung в 1995 г. Интерфейс карт SM - параллельный, 22-контактный, но из них для передачи данных используется только восемь линий.
MultiMedia Card. Карты Multi-Media Card (MMC) имеют 7-контактный последовательный интерфейс, который может работать на частоте до 20 МГц. Внутри пластикового корпуса карты размещается микросхема флэш-памяти и контроллер ММС-интерфейса. Стандарт ММС предложен в 1997 г. компаниями Hitachi, SanDisk и Siemens.
SecureDigital Card. SecureDigi-tal Card (SD) - самый молодой стандарт флэш-карт: он был разработан в 2000 г. компаниями Matsushita, SanDisk и Toshiba. Фактически SD - это дальнейшее развитие стандарта ММС, поэтому карты ММС можно устанавливать в накопители SD (обратное будет неверным). Интерфейс SD - 9-контактный, последовательно-параллельный (данные могут передаваться по одной, двум или четырем линиям одновременно), работает на частоте до 25 МГц. Карты SD оснащаются переключателем для защиты их содержимого от записи (стандартом также предусмотрена модификация без такого переключателя).
USB-флэш-память. USB-флэш-память (USB-память) - совершенно новый тип носителей на флэш-памяти, появившийся на рынке в 2001 г. По форме USB-память напоминает брелок продолговатой формы, состоящий из двух половинок - защитного колпачка и собственно накопителя с USB-разъемом (внутри него размещаются одна или две микросхемы флэш-памяти и USB-контроллер).
Работать с USB-памятью очень удобно - для этого не требуется никаких дополнительных устройств. Достаточно иметь под рукой ПК под управлением Windows с незанятым USB-портом, чтобы за пару минут «добраться» до содержимого этого накопителя. В худшем случае вам придется установить драйверы USB-памяти, в лучшем - новое USB-уст-ройство и логический диск появятся в системе автоматически. Возможно, что в будущем USB-память станет основным типом устройств для хранения и переноса небольших объемов данных.
Что же касается USB-флэш-памяти, то это, несомненно, более удобное решение для переноса данных, чем флэш-карты, - не требуется дополнительный флэш-накопитель. Однако производительность протестированных накопителей этого типа - Transcend JetFlash 256 Мбайт и Transcend JetFlashA 256 Мбайт - ограничивалась низкой пропускной способностью интерфейса USB 1.1. поэтому их показатели в тестах на скорость работы были довольно скромными. Если USB-флэш-память оснастить быстрым интерфейсом USB 2.0, то по «скорострельности» эти накопители, конечно, не уступят лучшим флэш-картам.
Интересно отметить, что по скорости последовательной записи флэш-память превосходит Iomega Zip 750, диски CD-RW и МО-носители и уступает только DVD-дискам. Это лишний раз подчеркивает, что разработчики флэш-памяти в первую очередь стремились увеличить скорость последовательной записи, поскольку флэш-память изначально предназначена для использования в цифровых фотокамерах, где прежде всего важен этот показатель.
В итоге можно заключить, что флэш-память - бесспорный лидер по надежности, мобильности и энергопотреблению среди накопителей небольшой и средней емкости, обладающий к тому же неплохим быстродействием и достаточным объемом (на сегодня на рынке уже доступны флэш-карты емкостью до 2 Гбайт). Несомненно, это очень перспективный тип, однако их широкое использование пока сдерживается высокими ценами.
23 вопрос (Программное обеспечение ПЗУ IBM PC. Программы POST, Boot Loader)
загрузочные устройства (IBM PC)
Загрузочное устройство это устройство, с которого загружается операционная система. Современные BIOS компьютер поддерживает загрузку с различных устройств, как правило, местные жесткий диск (или одной из нескольких разделах на таком диске), оптических дисков, устройств USB (флэш-диск, жесткий диск, оптический привод диска и т.д.), или карта сетевого интерфейса (с использованием PXE). Раньше, менее распространенными загрузочными устройствами включать дисководы гибких дисков, SCSI устройствах, Zip дисков, и LS-120 дисков.
Как правило, BIOS позволяет пользователю настроить порядок загрузки. Если порядок загрузки установлен в положение "Во-первых, привод DVD-вторых, жесткий диск", то BIOS будет пытаться загрузить с диска DVD, и если это не удается (например, из-за отсутствия DVD в привод), она будет пытаться загрузиться с локального жесткого диска.
Например, на компьютере с Windows XP, установленной на жесткий диск, пользователь может установить порядок загрузки к приведенному выше, а затем вставить GNU / Linux Live CD, с тем чтобы попробовать Linux без необходимости устанавливать операционную систему на жесткий диск. Это является примером двойной загрузкой - пользователю выбор, какую операционную систему для запуска после того, как компьютер выполняет свою самотестирования. В этом примере двойной загрузкой, пользователь выбирает, вставляя или вынимая компакт-диск из компьютера, но он является более общим, чтобы выбрать, какую операционную систему для загрузки, выбрав из меню с помощью клавиатуры компьютера. (Обычно F11 или ESC
После запуска, персональный компьютер "S x86 процессор выполняет инструкцию находится в памяти CS: IP FFFF: 0000 в BIOS, который находится на 0xFFFF0 адрес. Эта память места близок к концу 1 Мбайт системной памяти доступна в реальном режиме. Обычно он содержит инструкцию, которая Перейти выполнение переводов на место BIOS запуске программы. Эта программа запускается при включении питания самотестирования (POST) для проверки и инициализации необходимых устройств. BIOS проходит через предварительно настроен список Non-Volatile устройств хранения информации ("Boot Device последовательность"), пока не обнаружит, что является загрузочным. Загрузочные устройства определяется как вывод, который можно читать, а последние два байта первого сектора содержать слова 0xAA55 (также известный как загрузочный подпись).
После того как нашла BIOS загрузочного устройства он загружает загрузочный сектор в шестнадцатеричный сегмента: офсетная адресу 0000:7 C00 или 07c0: 0000 (карты с тем же адресом Ultimate) и передает на исполнение загрузочного кода. В случае с жестким диском, это называется основной загрузочной записи (MBR) и часто не конкретной операционной системы. Код MBR обычной проверки таблицы разделов МБР для раздела, установить в качестве загрузочного (один с флагом активности) Если найден активный раздел, MBR код загружает кода загрузочного сектора от этого раздела и выполняет его. Загрузочный сектор часто операционная система конкретного, однако в большинстве операционных систем, его основная функция заключается в загрузке и исполнять операционную систему ядра, которое продолжается при запуске. Если нет активных разделов, или загрузочный сектор активного раздела является недействительным, MBR может загрузить вторичный загрузчик который будет выбрать раздел (нередко с помощью пользовательского ввода) и загружает загрузочный сектор, который обычно загружает соответствующие ядра операционной системы.
В некоторых системах (в частности, новых Макинтошей) использовать Intel "S собственного EFI. Также Coreboot позволяет компьютеру загрузиться без сверхсложных прошивка / BIOS Постоянно работает в режиме управления системой. Наследие 16-битный интерфейс BIOS требуются определенные x86 операционных систем, таких как Windows XP, Vista, и 7. Однако большинство загрузчиков имеют 16-битную поддержку для этих унаследованных системах BIOS.
В старых компьютерах Windows, особенно те, кто управлял Windows 9x, если чипов BIOS присутствует, то он может или не может показать экран подробные BIOS производитель чипов, авторские права состоялась производитель чипа и идентификатор чипа при запуске. В то же время, она также показывает объем доступной памяти компьютера и других частей кода Отображение информации о компьютере.
Компьютеры и любая электроника - сложные устройства, принципы работы которых не всегда понятны большинству обывателей. Что такое ПЗУ и зачем устройство необходимо? Большинство людей не смогут дать ответ на этот вопрос. Попробуем исправить это недоразумение.
Что такое ПЗУ?
Чем они являются и где используются? Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) представляют собой энергонезависимую память. Технологически они реализованы как микросхема. Одновременно мы узнали, какова аббревиатуры ПЗУ расшифровка. Предназначены устройства для хранения информации, введённой пользователем, и установленных программ. В постоянном запоминающем устройстве можно найти документы, мелодии, картинки - т.е. всё, что должно храниться на протяжении месяцев или даже лет. Объемы памяти, в зависимости от используемого устройства, могут меняться от нескольких килобайт (на простейших устройствах, имеющих один кристалл кремния, примером которых являются микроконтроллеры) до терабайтов. Чем больше объем ПЗУ - тем больше объектов может быть сохранено. Объем прямо пропорционален количеству данных. Если уплотнить ответ на вопрос, что такое ПЗУ, следует ответить: это которое не зависит от постоянного напряжения.
Жесткие диски как основные постоянные запоминающие устройства
На вопрос, что такое ПЗУ, уже дан ответ. Теперь следует поговорить о том, какие они бывают. Основным постоянным запоминающим устройством являются жесткие диски. Они есть в каждом современном компьютере. Используются они благодаря своим широким возможностям накопления информации. Но при этом существует ряд ПЗУ, которые используют мультиплексоры начальные загрузчики и прочие подобные электронные механизмы). При детальном изучении будет нужно не только понимать значение ПЗУ. Расшифровка других терминов тоже необходима, для того, чтобы вникнуть в тему.
Расширение и дополнение возможностей ПЗУ благодаря флеш-технологиям
Если стандартного пользователю не хватает, то можно воспользоваться дополнительным расширением возможностей предоставленного ПЗУ в сфере хранения данных. Осуществляется это посредством современных технологий, реализованных в картах памяти и USB-флеш-накопителях. В их основе лежит принцип многоразового использования. Другими словами, данные на них можно стирать и записывать десятки и сотни тысяч раз.
Из чего состоит постоянное запоминающее устройство
В составе ПЗУ находится две части, которые обозначаются как ПЗУ-А (для хранения программ) и ПЗУ-Э (для выдачи программ). Постоянное запоминающее устройство типа А является диодно-трансформаторной матрицей, которая прошивается с помощью адресных проводов. Этот раздел ПЗУ выполняет главную функцию. Начинка зависит от материала, из которого сделаны ПЗУ (могут применяться перфорационные и магнитные ленты, перфокарты, магнитные диски, барабаны, ферритовые наконечники, диэлектрики и их свойство накопления электростатических зарядов).
Схематическое строение ПЗУ
Этот объект электроники изображается в виде устройства, которое по внешнему виду напоминает соединение определённого числа одноразрядных ячеек. Микросхема ПЗУ, несмотря на потенциальную сложность и, казалось бы значительные возможности, по размеру мала. При запоминании определённого бита производится запайка к корпусу (когда записывается нуль) или к источнику питания (когда записывается единица). Для увеличения разрядности ячеек памяти в постоянных запоминающих устройствах микросхемы могут параллельно соединяться. Так и делают производители, чтобы получить современный продукт, ведь микросхема ПЗУ с высокими характеристиками позволяет им быть конкурентными на рынке.
Объемы памяти при использовании в различных единицах техники
Объемы памяти разнятся в зависимости от типа и предназначения ПЗУ. Так в простой бытовой технике вроде стиральных машинок или холодильников можно хватает установленных микроконтроллеров (с их запасов в несколько десятков килобайт), и в редких случаях устанавливается что-то более сложное. Использовать большой объем ПЗУ здесь не имеет смысла, ведь количество электроники невелико, и от техники не требуется сложных вычислений. Для современных телевизоров требуется уже что-то более совершенное. И вершиной сложности является вычислительная техника вроде компьютеров и серверов, ПЗУ для которых, как минимум, вмещают от нескольких гигабайт (для выпущенных лет 15 назад) до десятков и сотен терабайт информации.
Масочное ПЗУ
В случаях, когда запись ведётся при помощи процесса металлизации и используется маска, такое постоянное запоминающее устройство называется масочным. Адреса ячеек памяти в них подаются на 10 выводов, а конкретная микросхема выбирается с помощью специального сигнала CS. Программирование этого вида ПЗУ осуществляется на заводах, вследствие этого изготовление в мелких и средних объемах невыгодно и довольно неудобно. Но при крупносерийном производстве они являются самым дешевым среди всех постоянных запоминающих устройств, что и обеспечило им популярность.
Схематически от общей массы отличаются тем, что в запоминающей матрице соединения проводников заменены плавкими перемычками, изготовленные из поликристаллического кремния. На стадии производства создаются все перемычки, и компьютер считает, что везде записаны логические единицы. Но во время подготовительного программирования подаётся повышенное напряжение, с помощью которого оставляют логические единицы. При подаче низких напряжений перемычки испаряются, и компьютер считывает, что там логический нуль. По такому принципу действуют программируемые постоянные запоминающие устройства.
Программируемые постоянные запоминающие устройства
ППЗУ оказались достаточно удобными в процессе технологического изготовления, чтобы к ним можно было прибегать при средне- и мелкосерийном производстве. Но такие устройства имеют и свои ограничения - так, записать программу можно только раз (из-за того, что перемычки испаряются раз и навсегда). Из-за такой невозможности использовать постоянное запоминающее устройство повторно, при ошибочном записывании его приходится выбрасывать. В результате повышается стоимость всей произведённой аппаратуры. Ввиду несовершенства производственного цикла эта проблема довольно сильно занимала умы разработчиков устройств памяти. Выходом из этой ситуации стала разработка ПЗУ, которое можно программировать заново многократно.
ПЗУ с ультрафиолетовым или электрическим стиранием
И получили такие устройства название «постоянное запоминающее устройство с ультрафиолетовым или электрическим стиранием». Создаются они на основе запоминающей матрицы, в которой ячейки памяти имеют особую структуру. Так, каждая ячейка является МОП-транзистором, в котором затвор сделан из поликристаллического кремния. Похоже на предыдущий вариант, верно? Но особенность этих ПЗУ в том, что кремний дополнительно окружен диэлектриком, обладающим чудесными изолирующими свойствами, - диоксидом кремния. Принцип действия здесь базируется на содержании индукционного заряда, который может храниться десятки лет. Тут есть особенности по стиранию. Так, для ультрафиолетового ПЗУ-устройства необходимо попадание ультрафиолетовых лучей, идущих извне (ультрафиолетовой лампы и т.д.). Очевидно, что с точки зрения простоты эксплуатация постоянных запоминающих устройств с электрическим стиранием является оптимальным, так как для их активации необходимо просто подать напряжение. Принцип электрического стирания был с успехом реализован в таких ПЗУ, как флеш-накопители, которые можно увидеть у многих.
Но такая ПЗУ-схема, за исключением построения ячейки, структурно не отличается от обычного масочного постоянного запоминающего устройства. Иногда такие устройства называют ещё репрограммируемыми. Но при всех преимуществах имеются и определённые границы скорости стирания информации: для этого действия обычно необходимо около 10-30 минут.
Несмотря на возможность перезаписи, репрограммируемые устройства имеют ограничения по использованию. Так, электроника с ультрафиолетовым стиранием может пережить от 10 до 100 циклов перезаписи. Затем разрушающее влияние излучения становится настолько ощутимым, что они перестают функционировать. Увидеть использование подобных элементов можно в качестве хранилищ для программ BIOS, в видео- и звуковых картах, для дополнительных портов. Но оптимальным относительно перезаписи является принцип электрического стирания. Так, число перезаписей в рядовых устройствах составляет от 100 000 до 500 000! Существуют отдельные ПЗУ-устройства, которые могут работать и больше, но большинству пользователей они ни к чему.
Программы
